K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BIWE от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,29 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 1G x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +95°C | — |
| Корпус | 78-FBGA | 78-FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Задержка CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Рабочая температура | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Без галогенов | — | Yes |