K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,29 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latencia CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Sin halógenos | — | Yes |