K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCWE от Samsung Electronics и K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,55 | $37,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0°C to +95°C (TC) |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |