K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G165WB-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.55 | $37.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0°C to +95°C (TC) |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |