K4AAG085WM-BCRC vs K4AAG085WA-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WM-BCRC от Samsung Electronics и K4AAG085WA-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WM-BCRC | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,00 | $7,24 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] | 16 Gbit |
| Организация памяти | x8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Max Data Rate | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) | — |
| Интерфейс | SSTL12 | JEDEC DDR4 |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | Bank-group DDR4 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to 85 C |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] | — |
| Clock | Differential clock CK/CK# | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Скорость передачи данных | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Application Class | — | Main memory / embedded DRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |