K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4AAG165WA-BCTD от Samsung Electronics и K4AAG165WM-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD ✓ Активен
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WM-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $60,59 $22,60
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Скорость передачи данных 2666 Mbps 3200 Mbps
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс Synchronous, DDR4 DDR4 (SSTL-12)
Рабочая температура 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Корпус 96-FBGA 96-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Memory Format Volatile (DRAM) —
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
Technology Family DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) —
Application Class Computing, embedded, consumer main memory —
Package Family FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount —
Temperature Grade Commercial (0C to +85C) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16 Gb
Организация памяти — 1G x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену