K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG165WM-BCTD от Samsung Electronics и K4AAG165WM-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $62,00 | $54,65 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Организация памяти | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Корпус | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 78-ball FBGA |
| Интерфейс | SSTL-12 | Parallel (DDR4) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| Статус RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| Скорость передачи данных | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |