K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG165WM-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 K4AAG165WM-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $62.00 | $54.65 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| 공급 전압 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| 패키지 | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 78-ball FBGA |
| 인터페이스 | SSTL-12 | Parallel (DDR4) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| RoHS 상태 | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |