K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BMH9 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BHMA от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BMH9 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMH9 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BMH9 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,90 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Задержка CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Статус RoHS | — | Compliant |