K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BMH9 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BHMA par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BMH9 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,90 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Statut RoHS | — | Compliant |