K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BMH9 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics e K4B4G1646D-BMH9 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,90 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latência CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Status RoHS | — | Compliant |