K4B4G1646D-BYK00 vs H5TC4G63AFR-G7A Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYK00 от Samsung Electronics и H5TC4G63AFR-G7A от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BYK00 | H5TC4G63AFR-G7A |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,50 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Напряжение питания | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| Корпус | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Рабочая температура | 0°C to 85°C | 0°C to 95°C (case) |
| Задержка CAS | Programmable | Programmable (e.g., 11) |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Refresh Period | — | 7.8us at 85°C |
| On-Die Termination | — | Supported |
| Process Technology | — | CMOS |