K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BCH90 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BMMA от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BCH90 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCH90 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BCH90 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $16,08 | $7,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Корпус | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 9-14 clocks (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |