K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BCH90 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BMMA 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646D-BCH90 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BCH90 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $16.08 | $7.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 32M x 16 |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| 패키지 | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 9-14 clocks (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |