K4RAH086VB-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RHE086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH086VB-BCWM | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $44,55 | $7,65 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Напряжение питания | 1.1 V | 1.1 V |
| Интерфейс | DDR5 (parallel) | DDR5 (JEDEC) |
| Корпус | FBGA-82 | 82 FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Рабочая температура | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Статус RoHS | Compliant | unknown |
| Статус жизненного цикла | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 24 Gb |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |