K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH165VB-BCQK от Samsung Electronics и K4RAH165VB-BIWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BIWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Размер памяти 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Скорость передачи данных 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Особенности Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Рабочая температура 0C to +85C 0C to +85C
Корпус 106-ball FBGA 106-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
Статус жизненного цикла Active —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family)
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
Организация памяти — 1G x 16
Напряжение питания — 1.1 V
On-Die ECC — Yes (per K4RAH165VB family datasheet)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL — DLL enabled mode of operation (per datasheet)
Standard Packaging — 1000 units

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену