K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIWM 比較

詳細な並列比較: K4RAH165VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics および K4RAH165VB-BIWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BIWM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.00
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
データレート 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
特長 Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
動作温度 0C to +85C 0C to +85C
パッケージ 106-ball FBGA 106-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
ライフサイクル状態 Active —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family)
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
メモリ構成 — 1G x 16
電源電圧 — 1.1 V
On-Die ECC — Yes (per K4RAH165VB family datasheet)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL — DLL enabled mode of operation (per datasheet)
Standard Packaging — 1000 units

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼