K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIWM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RAH165VB-BIWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BIWM
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Datenrate 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Eigenschaften Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Betriebstemperatur 0C to +85C 0C to +85C
Gehäuse 106-ball FBGA 106-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
Lebenszyklusstatus Active —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family)
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
Speicherorganisation — 1G x 16
Versorgungsspannung — 1.1 V
On-Die ECC — Yes (per K4RAH165VB family datasheet)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL — DLL enabled mode of operation (per datasheet)
Standard Packaging — 1000 units

Datenblätter & Ressourcen

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