K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF55000 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-BF70T от Samsung Electronics и K6X0808C1D-GF55000 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Активен
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-GF55000
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $3,20
Тип памяти SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Размер памяти 256 Kbit 256 Kbit
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 55 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
Рабочая температура -40C to +85C (TA) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 28-SOP 28-SOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
Разрядность шины данных 8 bit (I/O0-I/O7) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE (active low)
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Организация памяти — 32K x 8
Интерфейс — Parallel
Напряжение питания — 5 V
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
Write Cycle Time — [DATA_NEEDED: write cycle time]
Тип выхода — Three-state, common data I/O
Memory Format — Volatile, no refresh required
Technology — Low-power CMOS

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену