K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-GF70000 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF55000 от Samsung Electronics и K6X0808C1D-GF70000 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ АктивенSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K6X0808C1D-GF55000 | K6X0808C1D-GF70000 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,20 | $1,10 |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Размер памяти | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Организация памяти | 32K x 8 | 32K x 8 bit |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Напряжение питания | 5 V | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Корпус | 28-SOP | 28-SOP |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| Тип выхода | Three-state, common data I/O | — |
| Control Signals | CE, OE, WE (active low) | CE, OE, WE |
| Memory Format | Volatile, no refresh required | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Technology | Low-power CMOS | Low Power CMOS |
| Supply Voltage - Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage - Max | — | 5.5 V |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Разрядность шины данных | — | 8 bit (tri-state I/O) |
| Input/Output Levels | — | TTL compatible |