K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-GF70000 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-GF55000 제조: Samsung Electronics 및 K6X0808C1D-GF70000 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ 활성Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-GF55000 | K6X0808C1D-GF70000 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.20 | $1.10 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | 256 Kbit |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | 32K x 8 bit |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 공급 전압 | 5 V | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | 28-SOP | 28-SOP |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| 출력 유형 | Three-state, common data I/O | — |
| Control Signals | CE, OE, WE (active low) | CE, OE, WE |
| Memory Format | Volatile, no refresh required | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Technology | Low-power CMOS | Low Power CMOS |
| Supply Voltage - Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage - Max | — | 5.5 V |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| 데이터 버스 폭 | — | 8 bit (tri-state I/O) |
| Input/Output Levels | — | TTL compatible |