K9F2808Q0B vs K9LCG08U1M Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K9F2808Q0B от Samsung Electronics и K9LCG08U1M от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ Снят с производства
Сравнение характеристик
| Параметр | K9F2808Q0B | K9LCG08U1M |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Flash |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $11,85 |
| Тип памяти | SLC NAND Flash (parallel) | NAND Flash, MLC |
| Density | 128 Mbit | 64 Gbit (8 GB) |
| Организация памяти | 16M x 8 | x8 I/O |
| Operating Voltage (VCC) | 1.7 V to 1.95 V | — |
| Read Access Speed | 50 ns | — |
| Cell Type | SLC (1 bit/cell) | MLC (2 bits per cell) |
| Интерфейс | 8-bit multiplexed address/data | Asynchronous multiplexed NAND I/O |
| Корпус | 63-pin TBGA | BGA |
| Temperature Grade | C (commercial), I (industrial) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Typical Read Current (Icc1) | [DATA_NEEDED: Icc1] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Статус RoHS | unknown | unknown |
| Production Status | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete | — |
| Напряжение питания | — | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Рабочая температура | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Ordering Codes | — | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB |