K9LCG08U1M vs K9XXG08UXM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K9LCG08U1M от Samsung Electronics и K9XXG08UXM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K9LCG08U1M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Flash | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Obsolete |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $11,85 | $0,00 |
| Тип памяти | NAND Flash, MLC | — |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | — |
| Организация памяти | x8 I/O | — |
| Интерфейс | Asynchronous multiplexed NAND I/O | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (single-level cell) NAND |
| Корпус | BGA | 48-pin TSOP |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: supply voltage] | 2.7 V to 3.6 V |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | (2K + 64) Byte |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | (256K + 8K) Byte |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Статус RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Размер памяти | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |