M25P80-VMN3PB vs M25P16-VMN3PB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M25P80-VMN3PB от Micron Technology и M25P16-VMN3PB от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ Снят с производства
Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ Снят с производства

Сравнение характеристик

Параметр M25P80-VMN3PB M25P16-VMN3PB
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Снято с производства Снято с производства
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,75 $0,98
Тип памяти FLASH - NOR Memory IC Serial NOR Flash, SLC
Размер памяти 8 Mbit (1M x 8) —
Интерфейс SPI SPI
Максимальная тактовая частота 75 MHz 75 MHz
Напряжение питания 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Page Program Time 0.64 ms typ (up to 256 bytes) —
Организация памяти 1M x 8 bit 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC, 208 mil SOP)
Erase Capability Sector erase and bulk erase —
Write Protect Hardware write protect (W pin) —
Hold Function Yes (HOLD pin) —
Access Time 8 ns 15 ns
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Density — 16 Mbit (16,777,216 bits)
Write/Erase Endurance — 100,000 cycles
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 8
Maximum Seated Height — 1.75 mm
Product Longevity Program — Yes
Write Protection — Hardware (WP#) and software block protection

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену