M25P80-VMN3PB vs M25P16-VMN3PB 비교
다음의 상세 나란히 비교: M25P80-VMN3PB 제조: Micron Technology 및 M25P16-VMN3PB 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M25P80-VMN3PB | M25P16-VMN3PB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.75 | $0.98 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR Memory IC | Serial NOR Flash, SLC |
| 메모리 크기 | 8 Mbit (1M x 8) | — |
| 인터페이스 | SPI | SPI |
| 최대 클록 주파수 | 75 MHz | 75 MHz |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Page Program Time | 0.64 ms typ (up to 256 bytes) | — |
| 메모리 구성 | 1M x 8 bit | 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | 8-SO (SOIC-8) | 8-SO (SOIC, 208 mil SOP) |
| Erase Capability | Sector erase and bulk erase | — |
| Write Protect | Hardware write protect (W pin) | — |
| Hold Function | Yes (HOLD pin) | — |
| Access Time | 8 ns | 15 ns |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Density | — | 16 Mbit (16,777,216 bits) |
| Write/Erase Endurance | — | 100,000 cycles |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 8 |
| Maximum Seated Height | — | 1.75 mm |
| Product Longevity Program | — | Yes |
| Write Protection | — | Hardware (WP#) and software block protection |