M29F200FT55M3F2 vs M29F160FT55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F200FT55M3F2 от Micron Technology и M29F160FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F200FT55M3F2 M29F160FT55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Flash
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,85 $4,90
Тип памяти Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
Организация памяти 256K x 8 / 128K x 16 1M x 16 / 2M x 8
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
Корпус 44-pin SO (TSOP) 48-Pin TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Интерфейс — Parallel
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену