M29F200FT55M3F2 vs M29F160FT55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F200FT55M3F2 제조: Micron Technology 및 M29F160FT55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F200FT55M3F2 M29F160FT55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Flash
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.85 $4.90
메모리 유형 Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
메모리 구성 256K x 8 / 128K x 16 1M x 16 / 2M x 8
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
패키지 44-pin SO (TSOP) 48-Pin TSOP
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
인터페이스 — Parallel
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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