M29F400FB55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F400FB55N3F2 от Micron Technology и M29F800FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F400FB55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,95 | $2,47 |
| Тип памяти | NOR Flash | — |
| Density | 4 Mbit (4194 kbit) | — |
| Организация памяти | 256K x 16 / 512K x 8 | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5 V | 5 V |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | Embedded byte/word program algorithms |
| Корпус | 48-TSOP I | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Package Quantity | 1500 units (Tape & Reel) | — |
| Active/Standby Current | [DATA_NEEDED: active and standby current] | — |
| Erase/Program Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| VIO Range | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] | — |
| Статус RoHS | Compliant (lead-free build per F2 suffix) | Compliant (lead-free terminations) |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Тип интерфейса | — | Parallel NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |