M29F400FB55N3F2 vs M29W400FT55N3F Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F400FB55N3F2 от Micron Technology и M29W400FT55N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | M29F400FB55N3F2 | M29W400FT55N3F |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,95 | $1,92 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 4 Mbit (4194 kbit) | — |
| Организация памяти | 256K x 16 / 512K x 8 | 4Mbit, block-organized, top boot block |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5 V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Корпус | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Package Quantity | 1500 units (Tape & Reel) | — |
| Active/Standby Current | [DATA_NEEDED: active and standby current] | — |
| Erase/Program Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| VIO Range | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] | — |
| Статус RoHS | Compliant (lead-free build per F2 suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Размер памяти | — | 4 Mbit |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 (BYTE-selectable) |
| Program/Erase | — | Block erase, word/byte program |
| Suspend/Resume | — | Erase/program suspend and resume |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Prefix F in MPN | — | Pb-free package suffix |