M29F800FT55M3F2 vs M29F800FB55M3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F800FT55M3F2 от Micron Technology и M29F800FB55M3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55M3F2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F800FT55M3F2 | M29F800FB55M3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,10 | $3,72 |
| Тип памяти | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Организация памяти | 512K x 16 / 1M x 8 | 512K x 16-bit / 1M x 8-bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Boot Block Position | Top boot block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Корпус | 44-pin SO (SOP) | 44-pin SO (SOIC-44) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Интерфейс | Parallel, x8/x16 selectable | Parallel, Asynchronous |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Статус RoHS | Compliant (lead-free suffix F2) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Number of Words | — | 512 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Type | — | Bottom Boot Block |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| OTP Area | — | 64 byte |
| Automotive Qualification | — | Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |