M29W128GL70N3F vs M29W128GL70ZS3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W128GL70N3F от Micron Technology и M29W128GL70ZS3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W128GL70N3F M29W128GL70N3F - 128Mbit Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70N3F - 128Mbit Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70N3F ✓ Активен
Micron Technology
M29W128GL70ZS3F M29W128GL70ZS3F - 128Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3F - 128Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W128GL70N3F M29W128GL70ZS3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,48 $5,90
Тип памяти NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Memory Format FLASH - NOR —
Density 128 Mbit 128 Mbit
Организация памяти 8M x16 / 16M x8 16M x 8 / 8M x 16
Интерфейс Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания [DATA_NEEDED: supply voltage range] 3 V / 3.3 V
Корпус 56-TSOP 64-FBGA (11 x 13 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Block Organization Variant GL (boot-block) —
Speed Grade Code -70 —
Package Finish Code N3F (lead-free TSOP) —
Programming Interface Command-set parallel bus, embedded state machine —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Block Architecture — 64/64 (two 64 Mbit partitions)
Qualification — Automotive, AEC-Q100
Packaging — Tape & Reel (TR)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену