M29W128GL70N3F vs M29W128GL70ZS3F 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W128GL70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W128GL70ZS3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W128GL70N3F M29W128GL70N3F - 128Mbit Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70N3F - 128Mbit Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70N3F ✓ 활성
Micron Technology
M29W128GL70ZS3F M29W128GL70ZS3F - 128Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3F - 128Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3F ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W128GL70N3F M29W128GL70ZS3F
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.48 $5.90
메모리 유형 NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Memory Format FLASH - NOR —
Density 128 Mbit 128 Mbit
메모리 구성 8M x16 / 16M x8 16M x 8 / 8M x 16
인터페이스 Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
공급 전압 [DATA_NEEDED: supply voltage range] 3 V / 3.3 V
패키지 56-TSOP 64-FBGA (11 x 13 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Block Organization Variant GL (boot-block) —
Speed Grade Code -70 —
Package Finish Code N3F (lead-free TSOP) —
Programming Interface Command-set parallel bus, embedded state machine —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Block Architecture — 64/64 (two 64 Mbit partitions)
Qualification — Automotive, AEC-Q100
Packaging — Tape & Reel (TR)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

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