MPX5010DP vs MPX5010GS Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MPX5010DP от NXP Semiconductors и MPX5010GS от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MPX5010DP | MPX5010GS |
|---|---|---|
| Бренд | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Категория | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,60 | $10,85 |
| Pressure Type | Differential | Vented Gauge |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: max overload kPa] | — |
| Sensitivity | 450 mV/kPa (typical) | — |
| Диапазон выходного напряжения | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V at 5 V supply |
| Напряжение питания | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | — |
| Ток потребления | [DATA_NEEDED: supply current mA] | 5 mA typical |
| Linearity | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) | — |
| Рабочая температура | 0 C to +85 C (compensated) | 0 C to +85 C (compensated) |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature C] | -40 C to +125 C |
| Port Configuration | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube | — |
| Корпус | 6-SIP Module | 6-SIP Module, Case 867E-03 |
| Тип выхода | Analog, ratiometric | Analog, ratiometric |
| Тип монтажа | Through-hole (SIP) | Through-hole, axial tube |
| Technology | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned | — |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Overpressure | — | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] |
| Рабочее напряжение питания | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Accuracy | — | +/-2.5% of full-scale span |
| Response Time | — | 1.0 ms typical |
| Port Type | — | Male 0.19" (4.93 mm) tube, axial |
| Sensing Technology | — | Piezoresistive (silicon strain gauge) |