MPX5010DP vs MPX5010GS 비교
다음의 상세 나란히 비교: MPX5010DP 제조: NXP Semiconductors 및 MPX5010GS 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MPX5010DP | MPX5010GS |
|---|---|---|
| 브랜드 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| 카테고리 | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.60 | $10.85 |
| Pressure Type | Differential | Vented Gauge |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: max overload kPa] | — |
| Sensitivity | 450 mV/kPa (typical) | — |
| 출력 전압 범위 | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V at 5 V supply |
| 공급 전압 | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | — |
| 공급 전류 | [DATA_NEEDED: supply current mA] | 5 mA typical |
| Linearity | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) | — |
| 동작 온도 | 0 C to +85 C (compensated) | 0 C to +85 C (compensated) |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature C] | -40 C to +125 C |
| Port Configuration | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube | — |
| 패키지 | 6-SIP Module | 6-SIP Module, Case 867E-03 |
| 출력 유형 | Analog, ratiometric | Analog, ratiometric |
| 실장 유형 | Through-hole (SIP) | Through-hole, axial tube |
| Technology | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Overpressure | — | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] |
| 동작 공급 전압 | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Accuracy | — | +/-2.5% of full-scale span |
| Response Time | — | 1.0 ms typical |
| Port Type | — | Male 0.19" (4.93 mm) tube, axial |
| Sensing Technology | — | Piezoresistive (silicon strain gauge) |