MRF6V3090NBR1 vs MRF6V3090NR1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF6V3090NBR1 от NXP Semiconductors и MRF6V3090NR1 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR1 - 90W RF Power LDMOS, 470-860 MHz | NXP

MRF6V3090NBR1 - 90W RF Power LDMOS, 470-860 MHz | NXP

MRF6V3090NBR1 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR1 - 90W RF Power LDMOS 470-1215 MHz | NXP

MRF6V3090NR1 - 90W RF Power LDMOS 470-1215 MHz | NXP

MRF6V3090NR1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NR1
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $44,50 $59,90
Тип транзистора N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS)
Application RF Power Amplifier —
Frequency Band 470 MHz to 1215 MHz —
Typical Output Power (CW) 90 W at 860 MHz, 50 V —
Power Gain 22 dB at 860 MHz, 90 W CW —
Drain Supply Voltage (Vdd) 50 V DC —
Drain Current (Id) 350 mA (test condition) —
VSWR Tolerance 10:1 all phase angles, 50 V, 860 MHz, 90 W CW 10:1, all phase angles @ 50 Vdc, 860 MHz, 90 W CW
Корпус / Типоразмер TO-272 WB-4 (ceramic) —
Тип монтажа Surface Mount / Screw-Mount Chassis Surface Mount / Flange Mount with bolt-down heatsink
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Channel Mode Enhancement-mode —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Тепловое сопротивление переход-корпус [DATA_NEEDED: theta_jc] —
Статус RoHS unknown [DATA_NEEDED: explicit RoHS status - ceramic flange packages typically non-RoHS-exempt]
Lead-Free unknown —
Qualification Not Qualified (per partstack listing) —
Technology — LDMOS (Laterally Diffused MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA
Frequency Range — 470 MHz to 1215 MHz
Test Frequency — 860 MHz
Output Power (CW, Pout) — 90 W
Power Gain (typical) — 22 dB at 860 MHz
Drain Efficiency (typical) — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
Input Power (Pin) — [DATA_NEEDED: input drive level for 90 W Pout]
Package Type — TO-270 WB-4 (TO-272-4 family, ceramic air-cavity)
Рабочая температура перехода — -40C to +200C (max TJ)
Тепловое сопротивление — [DATA_NEEDED: theta_JC value C/W]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reel Quantity (R1 suffix) — 500 per reel (R1 = 500 unit reel)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену