MRF8HP21080HR5 vs MRF7S21080HR3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF8HP21080HR5 от NXP Semiconductors и MRF7S21080HR3 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF8HP21080HR5 MRF8HP21080HR5 - 16W 2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8HP21080HR5 - 16W 2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8HP21080HR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HR3 - 22W, 2110-2170 MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF7S21080HR3 - 22W, 2110-2170 MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF7S21080HR3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRF8HP21080HR5 MRF7S21080HR3
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $88,00 $24,95
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
Тип транзистора LDMOS, N-Channel, Dual (2 elements) LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode
Configuration Common Source, 2 Elements —
Frequency 2.17 GHz (2110–2170 MHz cellular band) —
Test Voltage 28 V —
Test Current 150 mA —
Power Gain 14.4 dB at 2.17 GHz 18 dB
Output Power (Avg.) 16 W (W-CDMA/LTE) —
Drain-Source Voltage Rating 65 V —
Корпус / Типоразмер NI-780-4 (Case 465M) —
Тип монтажа Flange Mount / Chassis Mount Surface Mount / Flange Mount
Number of Terminals 4 —
Technology W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET RF Power Field Effect Transistor (lateral MOSFET)
Surface Mount No (flange mount) —
Peak Reflow Temperature 260 C (not applicable - flange mount) —
Part Status (DigiKey) Discontinued at Digi-Key —
Frequency Band — 2110 MHz to 2170 MHz
Test Frequency — 2.11 GHz to 2.17 GHz
Rated Drain Voltage — 65 V
Test Supply Voltage (VDD) — 28 V
Quiescent Current (IDQ) — 800 mA
Output Power (Avg, W-CDMA) — 22 W Avg.
Drain Efficiency (typical) — 32 %
ACPR @ 5 MHz Offset — -38 dBc in 3.84 MHz channel
Output Signal PAR — 6.5 dB at 0.01% CCDF
Input Signal PAR — 7.5 dB at 0.01% CCDF
Channel Bandwidth — 3.84 MHz
Корпус — NI-780S-4S2S (NI-780, 3-pin ceramic, flange mount)
Application — CDMA / W-CDMA / LTE base-station power amplifiers

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену