NT5AD512M16 vs H5AN8G6NDJR-XNC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16 от Nanya Technology и H5AN8G6NDJR-XNC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5AD512M16 | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $73,75 | $55,68 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Корпус | 96-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Operating Temperature (Commercial) | 0°C to +95°C | — |
| Operating Temperature (Industrial) | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |