NT5AD512M16 vs H5AN8G6NDJR-XNC 比較

詳細な並列比較: NT5AD512M16 メーカー: Nanya Technology および H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5AD512M16 NT5AD512M16 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology

NT5AD512M16 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology

NT5AD512M16 ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5AD512M16 H5AN8G6NDJR-XNC
ブランド Nanya Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $73.75 $55.68
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリ構成 512M x 16 —
Total Density 8 Gbit —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V (max 1.26 V)
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 Mbps
パッケージ 96-ball FBGA FBGA-96 (13x7.5 mm)
Operating Temperature (Commercial) 0°C to +95°C —
Operating Temperature (Industrial) -40°C to +95°C —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
RoHS Compliant Compliant
メモリサイズ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x16
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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