NT5AD512M16 vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5AD512M16 por Nanya Technology e H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | NT5AD512M16 | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $73,75 | $55,68 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Operating Temperature (Commercial) | 0°C to +95°C | — |
| Operating Temperature (Industrial) | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |