NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646D-BMK0 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CB256M16CP-DI от Nanya Technology и K4B4G1646D-BMK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646D-BMK0
Бренд Nanya Technology Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $5,90
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
Напряжение питания 1.35 V (DDR3L) —
Скорость передачи данных 1600 Mbps/pin (max) 1600 Mbps
Корпус TFBGA-96 96FBGA (TFBGA)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
Рабочая температура — -40°C to 95°C
Die Version — D-die
Без галогенов — Yes
RoHS Compliant — Yes
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену