NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646D-BMK0 对比

详细并排对比 NT5CB256M16CP-DI 出自 Nanya Technology 和 K4B4G1646D-BMK0 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646D-BMK0
品牌 Nanya Technology Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $5.90
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储组织 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
电源电压 1.35 V (DDR3L) —
数据速率 1600 Mbps/pin (max) 1600 Mbps
封装 TFBGA-96 96FBGA (TFBGA)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作温度范围 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
工作温度 — -40°C to 95°C
Die Version — D-die
无卤 — Yes
RoHS Compliant — Yes
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

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