NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646D-BMK0 比較

詳細な並列比較: NT5CB256M16CP-DI メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646D-BMK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646D-BMK0
ブランド Nanya Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $5.90
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
電源電圧 1.35 V (DDR3L) —
データレート 1600 Mbps/pin (max) 1600 Mbps
パッケージ TFBGA-96 96FBGA (TFBGA)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
動作温度範囲 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
動作温度 — -40°C to 95°C
Die Version — D-die
ハロゲンフリー — Yes
RoHS Compliant — Yes
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

データシート&リソース

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