NT5CC256M16ER-EK vs H5TC4G63AFR-PBJ Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16ER-EK от Nanya Technology и H5TC4G63AFR-PBJ от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5CC256M16ER-EK | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $24,00 | $7,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V |
| Скорость передачи данных | 933 MHz (DDR3L-1866) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| Корпус | TFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Размер памяти | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |