NT5CC256M16ER-EK vs H5TC4G63AFR-PBJ Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16ER-EK par Nanya Technology et H5TC4G63AFR-PBJ par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16ER-EK | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $24,00 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Débit de données | 933 MHz (DDR3L-1866) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |