NT5CC256M16ER-EK vs H5TC4G63AFR-PBJ 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16ER-EK 제조: Nanya Technology 및 H5TC4G63AFR-PBJ 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16ER-EK | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $24.00 | $7.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| 데이터 속도 | 933 MHz (DDR3L-1866) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| 패키지 | TFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| 메모리 크기 | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |