H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NAFR-UHC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN8G6NAFR sa pamamagitan ng SK hynix at H5AN8G6NAFR-UHC sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN8G6NAFR | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Rate ng Data | 2400 MT/s | 2400 MT/s |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | DM function supported |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Write leveling function supported |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Tindminan RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |