H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCJR-XN Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5ANAG6NCJR-XNC sa pamamagitan ng SK hynix at H5ANAG6NCJR-XN sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Katayuan ng Stock | In Stock | — |
| Presyo ng Yunit (USD) | $68.91 | — |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Rate ng Data | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Packhaging | FBGA-96 | FBGA-96 (96-ball) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Packaging | Tray | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 16 Gbit (1G x 16) |
| Organisasyon | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Package Width | — | 8 mm |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| Temperature na Operasyon | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |