K4A8G085WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR-XNC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WB-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electronics at H5AN8G6NDJR-XNC sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WB-BCRC | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $55.68 |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisasyon | 1G x 8 | — |
| Rate ng Data | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 85°C | — |
| Packhaging | 78-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Number of Terminals | 78 | 96 |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Laki ng Memory | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |