K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BIWE Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WB-BITD sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WB-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisasyon | 1G x 8 | — |
| Rate ng Data | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Packhaging | 78FBGA | 78-FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Bilang ng Pins | 78 | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Interface | Parallel | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Laki ng Memory | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Wala sa Halogen | — | Yes |