MT41K256M16HA-107:E vs NT5CC256M16ER-EK Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16HA-107:E sa pamamagitan ng Micron Technology at NT5CC256M16ER-EK sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16HA-107:E | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35 V |
| Packhaging | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Rate ng Data | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensya ng CAS | 13 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |